2018年以來(lái)貿(mào)易摩擦、產(chǎn)能擴(kuò)張等因素造成了傳統(tǒng)LED芯片供需結(jié)構(gòu)失調(diào)，芯片價(jià)格和各公司毛利率普遍下降，LED行業(yè)進(jìn)入下行周期。降幅已收斂，價(jià)格底部逐漸顯現(xiàn)。到2020 年，歷了兩年周期下行的LED行業(yè)逐漸觸底，芯片價(jià)格和毛利率逐漸企穩(wěn)。三安光電作為行業(yè)龍頭，具有較強(qiáng)的議價(jià)能力；并積極布局 Mini/Micro LED、GaN 等新興領(lǐng)域，高端產(chǎn)品市場(chǎng)滲透率逐步提升。隨著海外疫情的進(jìn)一步緩解，MiniLED新興應(yīng)用帶動(dòng)需求增長(zhǎng)，頭部LED芯片廠(chǎng)有望逐步退出低端LED產(chǎn)能，行業(yè)供需關(guān)系將持續(xù)改善。

　　毛利率一直維持在同業(yè)領(lǐng)先地位

　　從LED到化合物半導(dǎo)體 產(chǎn)業(yè)鏈垂直化整合布局 鞏固行業(yè)龍頭地位

　　第二代化合物半導(dǎo)體典型代表為 GaAs，第三代化合物半導(dǎo)體典型代表為 GaN、SiC。半導(dǎo)體材料可分為單質(zhì)半導(dǎo)體及化合物半導(dǎo)體兩類(lèi)，前者如硅（Si）、鍺（Ge）等所形成的半導(dǎo)體，后者為砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）等化合物形成。砷化鎵（GaAs）、氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）半導(dǎo)體分別作為第二代和第三代半導(dǎo)體的代表，相比第一代半導(dǎo)體高頻性能、高溫性能優(yōu)異很多。

　　化合物半導(dǎo)體主要應(yīng)用于（1）光電子，如 LED、激光器等；（2）射頻通信，如 PA、 LNA。開(kāi)關(guān)、濾波器等；（3）電力電子，如二極管、MOSFET、IGBT 等。

　　根據(jù)CASA 統(tǒng)計(jì)，2018 年國(guó)內(nèi)市場(chǎng) SiC 和 GaN 電力電子器件的規(guī)模約為 28 億元，同比增長(zhǎng)56%，預(yù)計(jì)未來(lái)五年復(fù)合增速為38%。SiC、GaN 在電力電子領(lǐng)域滲透率約1.5~1.9%，

　　SiC、GaN 電力電子 90%依賴(lài)于進(jìn)口，主要為 Cree、英飛凌、Rohm，國(guó)產(chǎn)的功率器件目前僅在 SiC 二極管有量產(chǎn)銷(xiāo)售突破。GaN 微波射頻應(yīng)用市場(chǎng)規(guī)模約為 24.49 億元，未來(lái) 5 年復(fù)合增速有望達(dá) 60%。