目前功率器件無論是二極管、MOS、IGBT基本以硅基材料為主，而SIC(碳化硅)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，相對(duì)于SI基器件優(yōu)勢(shì)主要來自三個(gè)方面：降低電能轉(zhuǎn)換過程中的能量損耗、更容易實(shí)現(xiàn)小型化、更耐高溫高壓。

　　目前SIC最大的應(yīng)用市場(chǎng)在新能源汽車的功率控制單元(PCU)、逆變器、DC-DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器等，與傳統(tǒng)解決方案相比，基于SIC的解決方案使系統(tǒng)效率更高、重量更輕及結(jié)構(gòu)更加緊湊。特斯拉此前在Model3率先采用以24個(gè)SIC-MOSFET為功率模塊的逆變器，但價(jià)格比硅基貴4-5倍，制約產(chǎn)業(yè)推廣，2020年國產(chǎn)比亞迪(行情002594,診股)新能源汽車“漢”的電機(jī)控制器中開始應(yīng)用SICMOSFET模塊，預(yù)計(jì)2021年汽車領(lǐng)域SIC有望進(jìn)入放量元年。

　　SIC生產(chǎn)過程分為SIC單晶生長(zhǎng)、外延層生長(zhǎng)及器件制造三大步驟，對(duì)應(yīng)的是襯底、外延、器件與模組三大環(huán)節(jié)。

　　目前全球SIC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美國、歐洲、日本三足鼎立態(tài)勢(shì)，其中美國襯底全球獨(dú)大，根據(jù)第三方Y(jié)ole統(tǒng)計(jì)，2018年Cree、Ⅱ-Ⅵ襯底全球份額約為78%;歐洲擁有完整的SIC襯底、外延、器件以及應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈，代表公司是英飛凌、意法半導(dǎo)體等;日本是設(shè)備和模塊開發(fā)方面的領(lǐng)先者，代表公司是羅姆半導(dǎo)體、三菱電機(jī)、富士電機(jī)等。我國企業(yè)雖然在襯底、外延和器件方面均有所布局，但是體量均較小，如根據(jù)第三方Y(jié)ole統(tǒng)計(jì)2018年天科合達(dá)襯底營(yíng)收約為0.78億元，排名全球第六、國內(nèi)第一，但市占率僅1.7%，國產(chǎn)替代空間較大。

　　投資建議>>>

　　國內(nèi)SIC襯底材料廠商露笑科技(行情002617,診股)、天科合達(dá)(天富能源(行情600509,診股)參股3.7%)，器件商斯達(dá)半導(dǎo)(行情603290,診股)、華潤(rùn)微(行情688396,診股)、揚(yáng)杰科技(行情300373,診股)等;代工龍頭三安集成(三安光電(行情600703,診股)子公司)。 中泰證券(行情600918,診股)